目前的晶圓都是由硅元素生產制成，已知硅原子的直徑大約是0.22nm，再考慮到原子之間的距離，理論極限至少是0.5nm，但肯定沒有任何公司可以做到。普遍認為3nm將是芯片制程工藝的極限。

事實上自從晶體管制造工藝進入10nm時代之后，繼續提升制程工藝變得原來越困難，特別是Intel在14nm工藝上足足停留了 5 年之久，因此想要繼續提升芯片性能最好的辦法就是另辟蹊徑。

日前，復旦大學科研團隊近日在集成電路基礎研究領域取得一項突破。他們發明了讓單晶體管“一個人干兩個人的活”的新邏輯結構，使晶體管面積縮小50%，存儲計算的同步性也進一步提升。

復旦大學微電子學院教授周鵬指出：“這項研究工作的核心內容是利用原子晶體硫化鉬做出了新結構晶體管。在此基礎上，團隊發明了新的單晶體管邏輯結構，在單晶體管上實現了邏輯運算的‘與’和‘或’。”因此原先需要 2 個獨立晶體管才能實現邏輯功能，現在只要 1 個晶體管即可。

如果該發明成果成功產業化，將推動集成電路向更輕、更快、更小、功耗更低方向發展。相關研究成果已在線發表于《自然?納米技術》。